Samsung 2022’de 3nm Çip Üretecek

Samsung Foundry, bilgilere göre 2022 yılında 3nm çip üretmeye başlayacak. TSMC’den sonra dünyanın en büyük ikinci çip üreticisi, 3nm çiplerinde yenilikler yapıyor. Kaynaklara göre bu çipleri şirket, gelecek yıl üretecek. İşte detaylar.

TSMC’den sonra dünyanın en büyük ikinci bağımsız dökümhanesi olan SamsungFoundry, AnandTech’e göre 3nm işlem düğümünde bazı değişiklikler yaptı. SamsungFoundry’nin 3nm işlemi ile üretilecek ilk çipleri olan 3GAE, raporlara göre normalden bir yıl sonra yüksek hacimli üretimden geçecek. Ayrıca 3GAE’nin yalnızca dahili kullanım için üretilebileceğini belirten Samsung’un yol haritasından da kalktı.

Samsung
Samsung

Göz atmak isteyebilirsiniz: M1 Çipli ‘Çılgın ama Pahalı’ iPad Pro 


Samsung 3nm çip ile 2022 yılında geliyor

Bir şirket temsilcisi “3GAE sürecine gelince, müşterilerle görüştük ve 2022’de 3GAE’yi seri üretmeyi planlıyoruz.” dedi. 3GAE’nin halefi olan 3GAP (3nm Gate-All-Around Plus) düğümü hacim üretiminin ise 2023’te başlamasını bekliyoıruz. Yukarıda belirtilen yol haritası, Çin’deki Foundry Forum 2021’de karşımıza çıktı. SamsungFoundry, daha sonra Baidu ve Weibo’da yeniden yayınlanan güncellenmiş teknoloji yol haritasını tanıttı.

Eski FinFET transistör mimarisini kullanan yongalarına gelince, şirket, sırasıyla 2021 ve 2022 için yüksek hacimli üretim seti ile yol haritasına 5LPP ve 4LPP ekledi. Şirket Mayıs 2019’da 3GAE ve 3GAP düğümlerini tanıtmıştı. Bu çiplerin önceki nesil işlem düğümü olan 7LPP’ye kıyasla performansta yüzde 35 artış ve güç tüketiminde yüzde 50 azalma sağlayacağını duyurdu.

Aynı zamanda 2019’da, 3GAA (Gate-All-Around transistör mimarisi) kullanan toplu üretimin 2021’in sonlarında başlayacağını duyduk. Ancak 3nm Gate-All-Around Erken süreci için yeni lansman tarihinin 2022 olduğunu görüyoruz. Burada Samsung’un tarafında hafif bir gecikme veya bir yanlış hesaplama olduğu sonucuna varıyoruz.

Sadece birkaç gün önce, SamsungFoundry, Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini kullanan 3nm’lik bir çip çıkardı. SamsungFoundry’nin GAAFET/MBCFET 3 nm planları bir yıl içinde değişmiş ve kaymış gibi duruyır. Ancak erken düğümler hiçbir zaman geniş çapta benimsenmediği için bu, şirket için büyük bir sorun değil.

Exit mobile version